Компания Samsung Electronics приступила к поставкам микросхем памяти HBM4 одному из крупнейших клиентов, предположительно, корпорации Nvidia с её ИИ-ускорителями Vera Rubin. Ожидается, что это позволит Samsung увеличить свою долю на мировом рынке HBM с текущих 20% до 28%.
Аналитики TrendForce сообщают, что в текущем месяце оба ведущих производителя микросхем памяти — Samsung и SK hynix — начнут массовый выпуск продукции HBM4. По прогнозам издания Hankyung, Samsung продолжит лидировать в поставках HBM4 для Nvidia, в то время как SK hynix будет доминировать на мировом рынке HBM3E с долей более 50%. В предыдущем году SK hynix занимала 59% этого рынка, и Samsung стремится укрепить свои позиции благодаря активным поставкам HBM4.
Согласно данным источников, память HBM4 от Samsung успешно прошла квалификационные тесты Nvidia, соответствующие стандарту JEDEC, который предусматривает скорость передачи данных не менее 8 Гбит/с. Продукция Samsung обеспечивает стабильные скорости передачи данных в диапазоне 10–11 Гбит/с, в то время как продукция SK hynix оптимизирована для достижения скорости 11 Гбит/с. В ИИ-ускорителях Vera Rubin будут использоваться 16-ярусные стеки памяти HBM4.
Второй по величине поставщик HBM3E для Nvidia, компания Micron, продолжит снабжать её более медленной памятью HBM4.
На рынке DRAM компания Samsung может получать большую выгоду от производства модулей оперативной памяти SOCAMM2 для серверов по сравнению с производством сложных микросхем HBM4.