С развитием технологий электронная индустрия сталкивается с необходимостью повышения вычислительных мощностей при сохранении компактности устройств. В связи с этим учёные активно исследуют методы увеличения производительности электронных компонентов без значительного увеличения их размеров.
Исследовательская группа Пхоханского университета науки и технологий в Южной Корее разработала инновационную транзисторную технологию, основанную на использовании гетероперехода между оксидом цинка (ZnO) и теллуром (Te). Результаты этого исследования были опубликованы в журнале Advanced Functional Materials.
Созданный транзистор демонстрирует двойную отрицательную дифференциальную транзисторную проводимость (D-NDT), что выражается в изменении направления тока при увеличении напряжения на затворе. Этот эффект достигается за счёт уникальной конфигурации слоёв оксида цинка и теллура, что позволяет одному транзистору выполнять функции целой схемы.
Регулируя размер области перекрытия плёнок, можно изменять свойства транзистора. При небольшом перекрытии наблюдается однократное изменение тока, в то время как увеличение площади перекрытия приводит к появлению продольных и поперечных токов, взаимодействие которых формирует два пика на зависимости тока от напряжения.
Проведённые исследования показали, что один такой транзистор способен увеличить частоту тока в четыре раза, что позволяет сократить количество транзисторов в схеме на 64–75% в зависимости от логической структуры. Кроме того, скорость обработки данных увеличивается в четыре раза за цикл входного сигнала.
Данная технология имеет потенциал для упрощения проектирования электронных схем и повышения их производительности. Разработчики полагают, что она найдёт широкое применение в разработке сверхкомпактных устройств и трёхмерных интегральных схем высокой плотности.